پورتال همایش ها و سمینارهای دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
  • صفحه اصلی
  • آرشیو همایش ها
  • سایت دانشگاه
Bootstrap Touch Slider
  • مجموعه مقالات
  • پوستر
  • معرفی رویداد
  • محور رویداد
  • ساختار سازمانی

برگزار شده توسط : دانشگاه تربیت دبیر شهید رجائی


سومین همایش ملی مکانیک محاسباتی و تجربی

تاریخ برگزاری : 26 فروردين ماه 1400


تاریخ برگزاری : 26 فروردين ماه 1400

بررسی میزان بهبود بازده الکتریکی پانل های فتوولتائیک با نانو خنک کاری سیال

نویسندگان :

مجتبی بیگ زاده عباسی , نسرین امینی زاده , محمد احمدی زیدآبادی , راضیه بیگ زاده عباسی

دانلود فایل   
چکیده

امروزه يك راه حل براي رفع نيازهاي انرژي، استفاده از سيستم هاي فتوولتائيك براي تبديل انرژي خورشيدي به انرژی الكتريكي است. سلول هاي فتوولتائيك بخش كمي از انرژي تابشي خورشيدی جذب شده را مستقيم به انرژي الكتريكي تبديل مي كنند و بخش زيادي از آن را به صورت انرژي حرارتي هدر می دهند كه باعث بالا رفتن دماي سلول ها می‌شود. سلول هاي فتوولتائيك مهم ترين قسمت سيستم هاي فتوولتائيك هستند. بازده سيستم هاي فتوولتائيك با افزايش دماي سلول هاي فتوولتائيك كاهش مي يابد. براي بهبود كارايي و راندمان اين سيستم ها بايد دماي سلول هاي فتوولتائيك را تا حد امكان كاهش داد. سيستم هاي خنك كاري مختلفي از سوي محققين مختلف ارائه شده و به نتايج مختلفي رسیده‌اند. در اين پژوهش يك سيستم خنك كاري عبور نانو سيال از پشت پانل، مدل سازي شده و با نتايج آزمايشات ديگر محققان اعتبار سنجي گرديد. نتايج اعتبار سنجي با نتايج آزمايشات قبل به خوبي مطابقت داشتند. در اين سيستم، نانو سيال درون لوله ها، پشت پانل با دبي مشخص در حال عبور است. نانو سيال پس از عبور از لوله ها به داخل مخزن می ریزد و مجدداً به سيستم باز مي گردد. در اين پژوهش اثر پارامترهاي گوناگون بر عملكرد سيستم به منظور بهینه‌سازی كارايي آن بررسي شده است. نتايج حاصل از مدل سازي نشان مي دهد كه راندمان و توان خروجي پانل با استفاده از سيستم خنك كاري، افزايش قابل توجهي داشته است.

کليدواژه ها

نانو سيال، انرژي خورشيدي، انرژي الكتريكي، راندمان پانل فتوولتائيك، خنك كاري پانل فتوولتائيك

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
, 1400 , بررسی میزان بهبود بازده الکتریکی پانل های فتوولتائیک با نانو خنک کاری سیال , سومین همایش ملی مکانیک محاسباتی و تجربی


سومین همایش ملی مکانیک محاسباتی و تجربی
تاریخ برگزاری : 26 فروردين ماه 1400
آرشیو کلیه مقالات این رویداد
دیگر مقالات این رویداد
  • مقایسه عملکرد رادیاتور های قرنیزی و پنلی با معیار ضریب آسایش حرارتی
  • مروری بر فناوری های جدید مورد استفاده در سمعک های نسل جدید
  • طراحی مکانیزم کنترل و تحلیل ایرودینامیک موشک دوش پرتاب
  • بررسی خنک‌کاری اجزای داخل محفظه رایانه با شبیه‌سازی عددی جریان هوای داخل آن
  • شبیه سازی عددی و بهبود عملکرد اختلاط در میکرومیکسر به کمک گپ و مانع
  • تأثیر ترک بر فرکانس‌های طبیعی نانو تیرها به کمک شبیه‌سازی دینامیک مولکولی و روش اجزا محدود
  • بررسی پایداری واژگونی یک خودروی سنگین در مانور استاندارد
  • ارزیابی آسیب در ورقهای کامپوزیتی با تحلیل سیگنال مربوط به انتشار امواج لمب توسط شبکه عصبی مصنوعی
  • حل معادله غیرخطی جدایش لایه مرزی در جریان داخل دیفیوزر دایره ای در حضور یک میدان مغناطیسی غیر‌‌یکنواخت خارجی به روش HPM
  • كاربرد روش رويه پاسخ در بهينه سازي نرخ برداشت براده و سایش ابزار در فرآیند ماشينكاري تخلیه الکتریکی کامپوزیت Al-4Cu-6Si -10wt%SiCP
  • تماس با ما


    آدرس: تهران- لويزان- خيابان شهيد شعبانلو -دانشگاه تربيت دبير شهيد رجائي
    مرکز مطالعات وپژوهش های آموزش علوم و مهندسی
    صندوق پستي: 136-16785 و کد پستي:1678815811
    تلفن: 822970060 و نمابر: 22970038
    پست الکترونيکي: confedu@srttu.edu

    © کلیه حقوق متعلق به دانشگاه شهید رجایی می‌باشد. (همایش نگار نسخه 11.0.0)